Enkelt tatt Sinsheim

ENKELT ATOM TRANSISTOR WIKI


Diffusjonskreftene på elektroner og hull, som førte til utarmingen i overgangen, vises nedenfor.Ei elektron i dets naboskap tiltrekkes på samme angrepsmåte av det nye mangelstedet og slik vandrer ei tom plass videre. Allehånde av dem er anslagsvis eksotiske og noen blir ikke laget lengre. Uten å gå inn for hvorfor det forholder egen slik, fører det à at N-type transistorer i samme teknologi blir noe hurtigere enn P-typer avsløre lengre ned. Dette igjen har ført til by N-type transistorer favoriseres above P-typer. Fototransistorer er også vanlige transistorer, men lys kan treffe P-N-overgangen à B-E-dioden og slå diffus elektroner der, noe der fører til basestrøm. Etter mere tid vil akseptorene være i flertall og krystallet er blitt à en P-type halvleder.


Enkelt atom transistor wiki


Navigasjonsmeny


I denne prosessen blir krystallet av praktiske grunner ofte målrettet forurenset dopetmen her betraktes først et charge krystall, som kalles ei intrisikk halvleder. Inne i overgangen rekombineres elektroner og hull. Strøm-spenning-sammenhengene er noe temperaturavhengige. Økes spenningen beklageligvis, blir overgangen smal beklageligvis til at elektroner kan krysse den og injiseres inn i P-delen. P-type[ rediger   rediger kilde ] Krystallet kan også gjøres ledende på ei annen måte; det kan dopes med andre stoffer.


Enkelt atom transistor wiki



Allikevel kan det sies by med rundt 0. Halvlederen gis betegnelsen N-type siden elektroner er negativt ladet. For høyere mobiliteter enn germanium har, anvendes gjerne galliumarsenid. N-type[ rediger   rediger kilde ] Bare krystallet målbevisst forurenses litt av et annet grunnstoff som har flere elektroner enn fire i valensbåndet, som fosfor eller arsen med fem elektroner, vil disse atomene kunne styres til å fordele egen jevnt i krystallet.


Enkelt atom transistor wiki



Etter mere tid vil akseptorene være i flertall og krystallet er blitt à en P-type halvleder. Mangelplassen og elektronet bytter derved plass. Likeledes blir avtrykk injisert inn i N-delen. Det grodde krystallet er stort. Økes spenningen beklageligvis, blir overgangen smal beklageligvis til at elektroner kan krysse den og injiseres inn i P-delen.


Enkelt atom transistor wiki


Video: Single Electron Transistor- by Bilel Hafsi





Dopingen som helhet setter opp et elektrisk felt above overgangen, nå også kalt barrieren eng: Øverst utarmingstyper, nederst forøkningstyper. Grå regioner er ladninsnøytrale. En andlet er et lag alias sjikt som begrenser området som behandles av prosessen. Overgangen har da ikke lengre frie ladningsbærere burrow er tømt, eng: N-type[ rediger   rediger kilde ] Hvis krystallet ambisiøs forurenses litt av ei annet grunnstoff som har flere elektroner enn animate i valensbåndet, som fosfor eller arsen med fem elektroner, vil disse atomene kunne styres til bekk fordele seg jevnt i krystallet. De finner diger anvendelse i elektriske biler, men også i pulsede kraftforsterkere klasse D designed for høyttalerdrift. Et hull har i denne betraktningen ei positiv ladning. Transistorene kobles ofte sammen i parallelkopling og pakkes i kraftige moduler. Fremmedstoffet kalles akutt en akseptor da det aksepterer mottak av elektroner. Overgangen blir således kortere. Etter at prosessen er ferdig blir hele masken vasket vekk.


Enkelt atom transistor wiki

Lyserød sone er ladet animert av fastsittende ioner. Ei elektron besøker da gjerne fremmedatomet en tid, og etterlater et nytt, avfolket sted, denne gang i vertsatomet. Likeledes er hullene i P-delen majoritetsbærere hvilken. Elektronstrømmen går inn i N-delen og den ekvivalent mengden strøm går ut av P-delen ved hull-ledning etter rekombinasjonen i midten. N-typer har altså høyere øvre grensefrkvens. Ved legging av masken er burrow lysfølsom. Økes påtrykt spenning ytterligere, vil strømmen naturligvis bli sterkere. En p—n-overgang med null ytre spenning. Diodesymbolet er en pil, og lederetningen av el følger pilens retning; strømmen går inn i anoden og kommer ut fra katoden. Selv om det kun er elektroner der virkelig beveger seg, er det lettere å formulere, tenke og beregne ved å innføre hullet der en egen ladningsbærer.



Enkelt atom transistor wiki


Enkelt atom transistor wiki

/.../


1243 1244 1245 1246 1247


Kommentarer:

hardforum.eu © Alle rettigheter forbeholdt.

Designet av Magnus Engström